在工业控制与电源整流领域，高温下的漏电问题一直是工程师头疼的难题。以音箱产品为例，某客户原采用B5819W肖特基二极管进行电源整流，但在测试中发现漏电流偏大，长期运行存在热失控风险。更换为上海雷卯电子DSK26H超势垒整流器后，125°C下漏电流仅60μA，测试顺利通过，整机可靠性显著提升。类似场景在密闭式电池应用的项目中、变频器、电源模块中同样常见——散热空间受限且内部环境温度常年维持在100°C以上，传统肖特基二极管常因高温下反向漏电流急剧增加而引发热失控。DSK26H凭借高达+175°C的工作结温和极低的高温漏电特性，为上述场景提供了高可靠性的解决方案。
一、产品概述
DSK26H是一款专为高效电源转换设计的高性能超势垒整流器（肖特基二极管）。该器件采用紧凑的SOD-123FL表面贴装封装。作为新一代整流器件，DSK26H融合了低功耗损耗与高可靠性的双重优势，不仅具备优越的反向雪崩能力，还能在极端温度下保持稳定的电气性能。
二、核心参数深度解析
DSK26H在25°C环境下的最大额定参数，为各类电源拓扑应用提供了充足的安全裕量。其最大重复峰值反向电压（VRRM）与最大直流阻断电压（VDC）均为60V，最大均方根电压（VRMS）为42V，可轻松覆盖48V及24V系统的整流需求。电流承载方面，平均正向整流电流IF(AV)达2A，峰值正向浪涌电流（IFSM）高达50A（8.3ms单半正弦波，叠加额定负载），足以应对电源启动瞬间的浪涌冲击。电气特性方面，DSK26H导通性能优异：IF=1A、TJ=25°C条件下，瞬时正向电压（VF）典型值仅0.65V，IF=2A时最大值控制在0.74V。低VF值意味着更低的导通损耗，对提升开关电源整体转换效率至关重要。
在反向漏电特性方面，DSK26H同样表现出卓越的低温漏能力。根据规格书数据，在TJ=25°C、VR=VDC（60V全耐压）条件下，其反向漏电流IR最大仅为0.7µA，远低于SBR2M60S1F的0.8µA（为后者的1/8）和RB168MM-40的0.55µA（且后者仅在40V条件下测试）。即便在TJ=125°C的高温满载反向偏置状态下，DSK26H的反向电流也被严格限制在60μA，有效阻断了"漏电增加→结温升高→漏电进一步增加"的热失控恶性循环。这一超低漏电特性使得DSK26H在电池供电设备、电源接口保护等对静态功耗极为敏感的应用中，能够显著降低待机损耗，延长系统续航时间。
三、与竞品参数对比分析
本报告对比分析上海雷卯电子DSK26H与三款行业竞品——Nexperia-PMEG6010ELR、Diodes Inc-SBR2M60S1F、ROHM-RB168MM-40的核心电气参数，并从热阻、浪涌耐受、漏电流、封装兼容性等多个维度阐述DSK26H的竞争优势。所有参数均来源于各品牌官方数据手册。
核心参数对比表
参数项目 |
DSK26H (上海雷卯) |
PMEG6010ELR (Nexperia) |
SBR2M60S1F (Diodes Inc) |
RB168MM-40 (ROHM) |
最大反向耐压VRRM |
60V |
60V |
60V |
40V |
平均正向整流电流 IF(AV) |
2A |
1A |
2A |
1A |
浪涌正向电流 IFSM (8.3ms半波) |
50A |
50A |
30A |
40A (60Hz半波) |
正向电压VF (max) |
0.74V @IF=2A,25°C，0.65V @IF=1A,25°C |
0.66V @IF=1A,25°C |
0.6V @IF=2A,25°C，0.52V @IF=1A,25°C |
0.65V @IF=1A,25°C |
反向漏电流IR (max) |
0.1µA @VR=60V,25°C |
0.09-0.3µA @VR=5V,25°C (脉冲条件) |
0.2-0.8µA @VR=60V,25°C |
0.05-0.55µA @VR=40V,25°C |
热阻RθJA (结到环境) |
50°C/W (FR4 PCB) |
220°C/W (FR4 PCB) |
100°C/W (FR4基板) |
未提供 |
热阻RθJL/RθJC (结到引脚/壳) |
25°C/W |
18°C/W (焊点) |
31°C/W (壳) |
未提供 |
结温范围Tj |
-65°C ~ +175°C |
-55°C ~ +175°C |
-65°C ~ +175°C |
-55°C ~ +150°C |
存储温度Tstg |
-65°C ~ +175°C |
-65°C ~ +175°C |
-65°C ~ +175°C |
-55°C ~ +150°C |
封装 |
SOD-123FL |
SOD123W (CFP3) |
SOD123F |
SOD-123FL |
注：①各器件IR测试条件不同，DSK26H在VR=60V全耐压条件下测试，更具工程参考价值；② RθJA均为FR4 PCB测试条件，实际值受PCB铜皮面积和散热设计影响；③ DSK26H与RB168MM-40同采用SOD-123FL封装，可Pin-to-Pin直接替换。
四、DSK26H 核心优势分析
1.最高浪涌电流IFSM =50A，系统耐冲击能力最强：DSK26H的IFSM高达50A（8.3ms半波），与PMEG6010ELR一样，高于其他两款。这意味着在开关电源上电瞬间、感性负载切换、电网浪涌等产生大电流冲击的工况下，DSK26H具有更强的耐受能力，可有效降低器件因浪涌损坏的风险，提升系统整体可靠性。在音箱功放、变频器、车载电源等存在大电流冲击的应用中，50A的浪涌余量尤为宝贵。
2.最低热阻RθJA = 50°C/W，散热性能最优：DSK26H的结到环境热阻仅50°C/W（FR4 PCB条件下），分别为SBR2M60S1F（100°C/W）的一半、PMEG6010ELR（220°C/W）的1/4.4。更低的热阻意味着在相同功耗下结温升幅更小，器件可在更高环境温度下稳定工作，有效降低系统散热设计难度和成本。在密闭式音箱功放、变频器等散热条件较差的场合，低热阻优势尤为突出。
3. 2A大电流+ 60V高压，同封装参数组合最强：DSK26H同时具备2A平均正向电流和60V反向耐压，在SOD-123FL同封装器件中参数组合最强。相比RB168MM-40（1A/40V）和PMEG6010ELR（1A/60V），DSK26H在电流和电压两个维度均无短板，可覆盖更广泛的工业电源、通信电源、新能源通信、消费电子等应用场景。对于需要2A以上整流电流的设计，DSK26H是唯一能在SOD-123FL封装中同时满足60V/2A需求的器件。
4.超低反向漏电流IR = 0.1µA，低功耗设计首选：在VR=60V（全耐压）、Tj=25°C的严苛条件下，DSK26H的反向漏电流仅0.1(典型值），低于SBR2M60S1F（0.8µA，为DSK26H的8倍）和RB168MM-40（0.55µA，但仅测试于40V）。值得注意的是，PMEG6010ELR的IR在60V全耐压条件下其漏电流0.09-0.3µA。DSK26H在全耐压条件下仍保持0.1µA-0.7µA超低漏电，在电源接口保护、电池供电等场景中可有效降低静态功耗，减少热失控风险，延长电池续航。
5.宽温区-65°C ~ +175°C，满足严苛环境需求：DSK26H的结温范围覆盖-65°C至+175°C，宽于RB168MM-40（-55°C ~ +150°C），满足工业级等宽温域应用需求。配合260°C/10s高温焊接保证，可适应无铅回流焊等严苛工艺条件，适用于所有用到电池的项目、工业控制、汽车电子等场景。
6. SOD-123FL同封装Pin-to-Pin替代RB168MM-40：DSK26H采用与RB168MM-40完全相同的SOD-123FL封装，引脚排列一致，可实现Pin-to-Pin直接替换。在保持PCB布局不变的前提下，将耐压从40V提升至60V（+50%）、电流从1A提升至2A（+100%）、结温从150°C提升至175°C（+25°C），性能全面提升。对于正在使用RB168MM-40但需要更高耐压或更大电流的设计，DSK26H是理想的升级替代方案。
7. Super Barrier Rectifier技术，低压降高效率：DSK26H采用超势垒整流（SBR）技术，在IF=2A条件下正向电压仅0.74V（max），与SBR2M60S1F（0.70V）相当，远低于传统整流二极管。低压降特性可有效降低导通损耗，提升电源转换效率，尤其适用于低压大电流整流场景，如DC-DC转换器、AC-DC整流、反向极性保护等。
五、DSK26H与普通肖特基DSK26参数对比
DSK26是常规的肖特基二极管，DSK26与DSK26H参数对比如下：
序号 |
参数项目 |
普通肖特基DSK26 |
低漏电耐高温 DSK26H |
1 |
器件类型 |
Schottky Rectifier （肖特基整流器） |
Super Barrier Rectifier （超势垒整流器） |
2 |
最大重复峰值反向电压VRRM |
60 V |
60 V |
3 |
最大整流电压VRMS |
42 V |
42 V |
4 |
最大直流阻断电压VDC |
60 V |
60 V |
5 |
平均整流正向电流IF(AV) |
2.0 A |
2.0 A |
6 |
峰值正向浪涌电流IFSM (8.3ms单半正弦波) |
40 A |
50 A |
7 |
正向电压VF (IF=1A, TJ=25℃) |
未提供 |
0.65 V |
8 |
正向电压VF (IF=2A, TJ=25℃) |
0.7 V |
0.74 V |
9 |
反向电流IR (VR=VDC, TJ=25℃) |
5.0 mA |
0.1 μA |
10 |
反向电流IR (TJ=100℃ / TJ=125℃) |
— ( datasheet未列出) |
0.7 μA |
11 |
结到引脚热阻RθJL |
30.0 ℃/W |
25.0 ℃/W |
12 |
结到环境热阻RθJA |
— (datasheet未列出) |
50.0 ℃/W |
13 |
工作结温及存储温度范围 TJ / TSTG |
-65 ~ +125 ℃ |
-65 ~ +175 ℃ |
14 |
封装形式 |
SOD-123FL |
SOD-123FL |
1. DSK26H 反向漏电流 IR 极低（约50,000倍），功耗更小、效率更高。 |
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2. DSK26H 峰值正向浪涌电流 IFSM 提升50A，抗浪涌能力更强。 |
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3. DSK26H 结到引脚热阻 RθJL 更低（30→25 ℃/W），散热性能更优。 |
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4. DSK26H 最高结温 +175℃（vs DSK26的+125℃），适用于高温工作环境。 |
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5. 两者封装均为 SOD-123FL，引脚兼容，可直接替换升级。 |
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来源：LEIDITECH (雷卯半导体) Datasheet | DSK26: SOD-123FL_DSK22-DSK220.pdf | DSK26H: DSK26H.pdf
从表格可以看到DSK26H的漏电比DSK26低很几个数量级，并且结温范围更高，适合用在高温低漏电场合。
六、应用场景
凭借60V耐压、2A电流、175°C结温及低漏电的综合优势，DSK26H广泛适用于以下领域：
1.工业电源与控制：如变频器内部辅助电源、PLC隔离整流电路、工业传感器供电模块。
2.新能源与通信：光伏逆变器辅助电源、5G基站电源模块、LED驱动电源。
3.消费电子：高密度快充适配器、服务器电源等对效率和体积要求苛刻的场景。
4.电池供电设备：所有用到电池的项目，如便携式仪器、电池管理系统（BMS）、电动工具、无人机等，DSK26H的低漏电特性可有效降低电池自放电，延长续航时间。
七、选型建议与总结
在为您的电源系统选型时，若应用环境存在高温挑战或要求极高的转换效率，DSK26H是理想的替代或升级方案。在选型过程中，建议工程师重点关注高温下漏电流指标，并结合实际散热条件利用50.0°C/W的RθJA进行温升核算。
综合以上参数对比分析，DSK26H在六个关键维度上表现突出：浪涌电流IFSM（60A最高）、热阻RθJA（50°C/W最低）、电流耐压组合（2A/60V同封装最强）、反向漏电流（0.1µA全耐压条件下最低）、温区范围（-65°C~+175°C宽温域）、封装兼容性（SOD-123FL与RB168MM-40 Pin-to-Pin兼容）。在音箱功放、变频器、电源、工业电源、通信电源、所有用到电池的项目等应用场景中，DSK26H均可作为高性能、高可靠性的肖特基整流二极管优选方案。
上海雷卯电子DSK26H超势垒整流器以175°C的宽工作结温、极低的高温反向漏电流以及紧凑可靠的SOD-123FL封装，重新定义了高温电源整流的标准。它不仅解决了传统肖特基二极管在高温下的热失控隐患，更为现代电子设备向高功率密度、高可靠性方向发展提供了坚实的底层器件支撑。